亚博取款曝顾秒到账_基于单轴张应变锗/硅锗多量子阱的电吸收调制器方案

本文摘要:有人指出,片上点对点是一条有潜力的发展路径,因为功耗和比特率相当制约了大规模集成电路的发展。

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有人指出,片上点对点是一条有潜力的发展路径,因为功耗和比特率相当制约了大规模集成电路的发展。硅光子学是将光学器件和电子器件构建为一体的最佳平台,但受到有源器件的制约。

锗和硅锗的合金材料最近受到了更多的关注。这是因为与锗的必要带隙能量对应的波长在c带,而间接带隙的l谷带边缘比必要带隙的谷低140毫米电子斥责。研究者们已经明确提出并发展了许多兼容CMOS的方法,包括锗/硅锗量子阱、悬浮锗微结构、锗锡合金,以改变锗相关材料的能带结构。在硅基调制器领域,锗/硅锗量子阱电吸收调制器具有尺寸小、功耗低等优点。

由于量子允许效应,锗/硅锗量子阱所需的带隙吸收能值大于锗块体材料,以前的10nm长锗量子阱在零偏压下的工作波长为1420nm。吸附边缘可以通过产生不同的偏置电压来控制,但吸附对比度也随着偏置电压的减少而劣化。高偏压也不适合大规模构建。

因此,锗/硅锗多重量子阱电吸收调制器的工作波长有限。构建武汉光电国家实验室光电子器件和功能实验室的孙军强教授带领博士生高建峰等人明确提出了基于单轴张突发事件锗/硅锗多重量子阱的电吸收调制器的方案。

该方案需要大幅度扩大锗/硅锗多重量子阱的电吸收调制器的工作波长范围,提高TE模式的吸收对比度。通过部署0.18%-1。

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